上海九晶电子材料股份有限公司 main business:半导体材料生产加工，金属切削加工，电子元器件、机械零部件、有色金属、建材的批发零售，从事货物及技术的进出口业务，硅材料生产设备安装、调试、维修、技术开发、技术转让。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
- 2002年06月12日
- 胡国忠
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- 2002年06月12日 至 永久
- 上海市工商局
- 2002年06月12日
- 上海市松江区石湖荡镇长塔路399号
- 半导体材料生产加工，金属切削加工，电子元器件、机械零部件、有色金属、建材的批发零售，从事货物及技术的进出口业务，硅材料生产设备安装、调试、维修、技术开发、技术转让。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 6063813 |  |
图形 | 2007-05-22 | 单晶硅 | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101964219B | 晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法 | 2013.02.06 | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法，它是由微米级银粉、玻璃粉、有机载体、添加剂组成 |
| 2 | CN102040222B | 一种从含有重掺的硅料中分离硅料的方法 | 2012.09.19 | 本发明属于化工分离技术领域，涉及一种分离硅料的方法，具体涉及一种从含有重掺的硅料中分离硅料的方法，为 |
| 3 | CN102173422B | 一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法 | 2012.08.29 | 本发明公开的一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法，其包括如下步骤：1)、用洗洁精擦洗带渣硅料表面，用 |
| 4 | CN102020426B | 一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法,通过氢氟酸浸泡去除石英和表面附着的少量金属离子；再 |
| 5 | CN102492982A | 一种单晶炉高温熔料泄漏引导保护装置 | 2012.06.13 | 本发明公开了一种单晶炉高温熔料泄漏引导保护装置，包括石墨坩埚和设置于石墨坩埚底部的坩埚托底，其特征在 |
| 6 | CN101659089B | 一种多线切割机导轮开槽方法 | 2012.02.15 | 一种多线切割机导轮开槽方法，在导轮开槽进行硅晶片切割时，通过在同一副导轮的进线位置至出线位置的开槽间 |
| 7 | CN102173422A | 一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法 | 2011.09.07 | 本发明公开的一种太阳能级带渣硅料的分离和提纯方法，其包括如下步骤：1)、用洗洁精擦洗带渣硅料表面，用 |
| 8 | CN102040222A | 一种从含有重掺的硅料中分离硅料的方法 | 2011.05.04 | 本发明属于化工分离技术领域，涉及一种分离硅料的方法，具体涉及一种从含有重掺的硅料中分离硅料的方法，为 |
| 9 | CN102020426A | 一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法 | 2011.04.20 | 本发明公开了一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法,通过氢氟酸浸泡去除石英和表面附着的少量金属离子；再 |
| 10 | CN101964219A | 晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法 | 2011.02.02 | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法，它是由微米级银粉、玻璃粉、有机载体、添加剂组成 |
| 11 | CN101659089A | 一种多线切割机导轮开槽方法 | 2010.03.03 | 一种多线切割机导轮开槽方法，在导轮开槽进行硅晶片切割时，通过在同一副导轮的进线位置至出线位置的开槽间 |
| 12 | CN201317827Y | 直拉单晶炉用石墨坩埚 | 2009.09.30 | 一种直拉单晶炉用石墨坩埚，包括石墨坩埚本体，所述石墨坩埚本体包括三瓣块体，石墨坩埚内壁的三瓣块体的接 |
| 13 | CN201284384Y | 设有掺杂器的直拉硅单晶炉 | 2009.08.05 | 一种设有掺杂器的直拉硅单晶炉，包括直拉单晶炉本体，单晶炉本体包括坩埚、炉膛保温盖，所述直拉单晶炉本体 |
| 14 | CN201214688Y | 带有一次加料器的直拉单晶炉 | 2009.04.01 | 带有一次加料器的直拉单晶炉，包括一个带有加热石英坩埚的直拉单晶炉本体，其特征在于，所述直拉单晶炉本体 |
| 15 | CN100424234C | 一种太阳能级硅单晶的制备方法 | 2008.10.08 | 本发明涉及一种太阳能级硅单晶的制备方法，其特征在于，利用废弃的硅多晶埚底料及单晶片料作主要原料来制备 |
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